*本文轉(zhuǎn)載自中國科大理化科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心微信公眾號
(原標(biāo)題:中心首臺國產(chǎn)高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡順利通過驗(yàn)收)
近日,中國科大理化科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心電鏡影像平臺購置的國儀量子超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X在中心調(diào)試完畢,各項(xiàng)指標(biāo)符合要求,順利通過專家組聯(lián)合驗(yàn)收。該設(shè)備于11月22日投入試運(yùn)行,試運(yùn)行期間校內(nèi)用戶免費(fèi)。
驗(yàn)收結(jié)束后,國儀量子代表正式遞交售后服務(wù)承諾書。
儀器位于中國科大中區(qū)理化科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心一樓128房間,有需要的用戶可登中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)理化實(shí)驗(yàn)中心網(wǎng)站進(jìn)行預(yù)約。
國儀量子原位高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡
SEM5000X為國儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司自主研制的超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡,該設(shè)備具有穩(wěn)定的電子光學(xué)系統(tǒng),通過電子光學(xué)鏡筒設(shè)計(jì)優(yōu)化,綜合像差大大降低,實(shí)現(xiàn)了超高分辨率。擁有鏡筒內(nèi)高壓隧道模式,可在低壓下直接對高低起伏的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高分辨成像。以其超高分辨率和高穩(wěn)定性,可在先進(jìn)納米結(jié)構(gòu)和納米材料的研究、高端芯片半導(dǎo)體的研發(fā)制造等領(lǐng)域發(fā)揮其性能優(yōu)勢,可觀察物體二次電子像、成分襯度像、電子通道襯度像,同時(shí)可進(jìn)行X射線能譜分析、電子背散射衍射分析、原位微納米力學(xué)性能測試。配備了空氣敏感樣品轉(zhuǎn)移系統(tǒng),可對空氣敏感樣品進(jìn)行形貌、EDS及EBSD表征。
二次電子圖像分辨率:0.6 nm @ 15 KV ,1.0 nm @ 1 KV
放大倍數(shù):1x~2,500,000x
加速電壓:20V~30 kV
能譜儀(牛津AZtecLive UltimMax100 X):分辨率(MnKa)127 eV,分析元素范圍:Be4 ~ Cf98
電子背散射衍射儀(牛津Symmetry S3): 高速低噪音CMOS相機(jī),分辨率1244*1024;在線解析最高標(biāo)定速度5700點(diǎn)/秒, 取向精度0.01度
原位納米壓痕系統(tǒng)(牛津FT-NMT04): 20mN力傳感器,載荷分辨率: ≤50 nN (噪音值);最大壓痕深度25μm,位移分辨率: ≤0.05 nm(噪音值);最大納米壓痕點(diǎn)陣測量面積:10mm x 10mm;最大疲勞測試頻率:500Hz
形貌像:
空氣敏感樣品轉(zhuǎn)移系統(tǒng):純Li氣氛保護(hù)前后樣品形貌:
低活化鐵素體/馬氏體鋼晶粒取向圖:
單晶Si微柱壓縮動(dòng)畫: